硅晶圓是由高純度的多晶硅經(jīng)過(guò)一系列復(fù)雜的物理、化學(xué)過(guò)程拉制單晶硅棒后，再通過(guò)切片工藝加工而成的薄片。在半導(dǎo)體行業(yè)中，硅片是制造各種集成電路的主要載體。在太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè)中，硅片同樣扮演著核心角色，用于制造太陽(yáng)能電池片，可將太陽(yáng)光能轉(zhuǎn)化為電能。

隨著科技的發(fā)展，硅片尺寸不斷增大，對(duì)硅片的質(zhì)量和生產(chǎn)技術(shù)的要求也越來(lái)越高。硅片表面平整度和潔凈度要求非常嚴(yán)格，以確保在其基礎(chǔ)上制造出的集成電路性能優(yōu)良、可靠性高。為此，硅片清洗往往使用的是高純度的超純水。這種水基本只含有氫原子和氧原子兩種成分，可采用超純水設(shè)備來(lái)進(jìn)行大量生產(chǎn)。

超純水設(shè)備采用了“反滲透+EDI+拋光混床”技術(shù)，出水電阻率可達(dá)18MΩ*cm（25℃），質(zhì)量穩(wěn)定。其采用的反滲透技術(shù)可以對(duì)超純水中的各種納米級(jí)雜質(zhì)分離去除，過(guò)濾精度高。EDI技術(shù)是實(shí)現(xiàn)超純水深度脫鹽的關(guān)鍵技術(shù)，結(jié)合末端的拋光混床技術(shù)可以最終確保出水水質(zhì)。

概括超純水設(shè)備的技術(shù)特點(diǎn)，主要有：

1.采用靶向離子交換系統(tǒng)針對(duì)超純水中難處理的硼及其他離子定向去除；

2.膜系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)帶電荷運(yùn)行，離子遷移速度更快，脫鹽效果更優(yōu)；

3.采用PLC智能化程序，能靈活進(jìn)行操作，人力投入節(jié)約；

4.系統(tǒng)運(yùn)行無(wú)污染物析出，確保了系統(tǒng)內(nèi)無(wú)死水；

5.采用新型均粒樹(shù)脂包填充，高頻電子極板形成強(qiáng)電場(chǎng)運(yùn)行環(huán)境，有效提高脫鹽率。

該設(shè)備具有出水水質(zhì)穩(wěn)定、無(wú)酸堿再生、自動(dòng)化強(qiáng)、安裝簡(jiǎn)單、操作方便的優(yōu)勢(shì)，具有很高的性?xún)r(jià)比，能為硅片清洗供給優(yōu)質(zhì)水源。